[发明专利]一种碳化硅外延生长用石墨部件及其复合涂层制备工艺在审

专利信息
申请号: 202310629660.5 申请日: 2023-05-31
公开(公告)号: CN116730744A 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 姜佑霖;马良来 申请(专利权)人: 昊石新材料科技南通有限公司
主分类号: C04B41/85 分类号: C04B41/85;C30B19/06
代理公司: 北京智行阳光知识产权代理事务所(普通合伙) 11738 代理人: 章建声
地址: 226300 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及碳化硅的外延生长技术领域,具体涉及一种碳化硅外延生长用石墨部件及其复合涂层制备工艺,包括以下步骤:首先,将石墨部件按照质量比例5%‑10%在高纯度氮气环境中进行预热处理;其次,将经过预热处理的石墨部件涂覆以涂层原料,涂层原料包括质量比例30%‑40%的碳纳米管、20%‑30%的石墨烯、10%‑20%的纳米碳化硅以及20%‑30%的高分子结合剂;最后,将涂覆后的石墨部件在氮气环境中进行热处理,得到复合涂层。本发明,能够实现石墨部件与复合涂层的高效结合,延长了石墨部件的使用寿命,操作简单,效率高,易于实现工业化生产。
搜索关键词: 一种 碳化硅 外延 生长 石墨 部件 及其 复合 涂层 制备 工艺
【主权项】:
暂无信息
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