[发明专利]一种改善砷化镓晶片表面质量的清洗方法在审
| 申请号： | 202310617181.1 | 申请日： | 2023-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN116741622A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 牛应硕;李有云;刘汉保;韦华;杨春柳;赵茂旭;韩家贤 | 申请（专利权）人： | 云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 董昆生 |
| 地址： | 650000 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善砷化镓晶片表面质量的清洗方法，包括以下步骤：将抛光结束的砷化镓晶片浸于有机溶液中清洗；置于溢流槽中冲洗；浸于第一碱液中清洗；置于溢流槽中冲洗；浸于第二碱液中清洗；冲水后干燥。通过本方法处理后可以有效改善晶片表面药水、脏污、颗粒及粘胶缺陷，获得高洁净表面；可获得表面免清洗晶片，达到Epi‑ready要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 砷化镓 晶片 表面 质量 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
