[发明专利]一种硅基晶圆的背面硅腐蚀加工方法在审
| 申请号： | 202310605020.0 | 申请日： | 2023-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN116884836A | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 任晓塍;孙岩;承超;马敏洁;徐占勤;朱显 | 申请（专利权）人： | 江苏新顺微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 214431 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种硅基晶圆的背面硅腐蚀加工方法，其包括如下步骤：将硅基晶圆安装在耐腐蚀载具上、并使硅基晶圆的背面暴露于耐腐蚀载具表面；将耐腐蚀载具浸泡在混合酸液中、以混合酸液对硅基晶圆的表面进行氧化，在硅基晶圆表面形成二氧化硅；从混合酸液中取出耐腐蚀载具、并清洗硅基晶圆；将耐腐蚀载具放入氧化反应液中浸泡，氧化反应液包括氟化铵和过氧化氢；将耐腐蚀载具从氧化反应液中取出、放入腐蚀液中浸泡以溶解所述二氧化硅，腐蚀液包括氟化铵和氢氟酸；在耐腐蚀载具上清洗并甩干硅基晶圆，将硅基晶圆取下。本发明能够在硅基晶圆的背面硅腐蚀工艺中去除硅基晶圆表面的氮氧化合物层，进而减少淀积背面金属的脱落，降低芯片的报废率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基晶圆 背面 腐蚀 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
