[发明专利]MEMS传感器的制备方法及传感器在审
| 申请号： | 202310596728.4 | 申请日： | 2023-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN116605834A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 裘进;王鹏辉;杨云春;王飞飞;张向超 | 申请（专利权）人： | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;B81B7/00;B81B3/00;G01D5/12 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 甄伟军 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS传感器的制备方法及传感器，属于传感器技术领域。方法包括：提供一第三晶圆层，第三晶圆层上具有垂直于第三晶圆层的至少一个第二功能电极，第三晶圆层的用于与第二晶圆层键合的一面上具有第一凹槽；在第一凹槽内形成至少一个凸起支撑结构；在第三晶圆层和至少一个凸起支撑结构的用于与第二晶圆层键合的一面上分别形成第二绝缘层和第三绝缘层。通过在第一凹槽内形成凸起支撑结构可以起到加强第二晶圆层和第三晶圆层之间的结构强度的作用。且第三晶圆层上形成有至少一个第二功能电极，可以充分利用第三晶圆层的空间，满足MEMS传感器对功能电极的设置需求。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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