[发明专利]一种用于射频前端半导体封装体有效
| 申请号： | 202310591585.8 | 申请日： | 2023-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN116347971B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 苗湘;张雅;闫坤坤;黄歆 | 申请（专利权）人： | 北京中科飞鸿科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N30/87 | 分类号： | H10N30/87;H10N30/88;H10N30/02;H10N30/06 |
| 代理公司： | 北京佳信天和知识产权代理事务所(普通合伙) 11939 | 代理人： | 卢楠 |
| 地址： | 100086 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于射频前端半导体封装体，用以解决现有用于射频前端的半导体封装体其声波传播过程中能量会通过边界泄露的问题。本发明的用于射频前端半导体封装体，包括：衬底；叉指电极，位于所述衬底表面；所述叉指电极包括反射栅叉指电极和换能器叉指电极，所述反射栅叉指电极的两侧分别设有所述反射栅叉指电极，所述反射栅叉指电极的周期不小于所述换能器叉指电极的周期，且所述换能器叉指电极包括至少两个不同周期的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 射频 前端 半导体 封装 | ||
【主权项】：
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