[发明专利]非运放钳位多值存内计算电路及存储器在审

专利信息
申请号: 202310561696.4 申请日: 2023-05-18
公开(公告)号: CN116741222A 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 王宗巍;杨韵帆;蔡一茂;李劲杉 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406;G11C11/4074;G11C11/4091;G11C11/4094
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 王迎;袁文婷
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种非运放钳位多值存内计算电路及存储器,其中的电路包括氧化物半导体阵列、与氧化物半导体阵列连接的驱动电路、读写及计算电路、多路复用器以及查找表;其中,驱动电路用于驱动氧化物半导体阵列的读字线和写字线;读写及计算电路用于采样全局读位线上的电压并保持、将电压转换为表示计算或读取结果的数字值,以及将多值数字输入转换为待存电压以驱动全局写位线;多路复用器用于实现多个存储列共享一个逐次逼近型模数转换器;查找表用于在刷新模式下,通过模数转换器输出回算存储单元的栅压,以确定应施加的多值数字输入。利用上述发明能够提高存内计算电路的计算能效与并行度。
搜索关键词: 非运放钳位多值存内 计算 电路 存储器
【主权项】:
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