[发明专利]二维金属硫属化合物复合异质结的近红外探测器及其制备在审
| 申请号: | 202310555742.X | 申请日: | 2023-05-17 |
| 公开(公告)号: | CN116504867A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
| 发明(设计)人: | 李渊;张娜;翟天佑 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/18;H01L31/0264 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 许恒恒 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本发明属于图像传感器技术领域,公开了一种二维金属硫属化合物复合异质结的近红外探测器及其制备,该近红外探测器自下而上包括衬底、功能层及电极层,其中,所述功能层为二维金属硫属化合物基材料,在平行于表面的横向方向以及垂直于表面的纵向方向均存在异质结;所述电极层包括独立设置的源电极和漏电极。本发明通过设计基于二维金属硫属化合物的横向‑纵向复合异质结,相应得到的近红外探测器可以有效抑制暗电流、促进光生载流子的分离、丰富载流子传输路径,从而大幅提高近红外探测器的探测性能。 | ||
| 搜索关键词: | 二维 金属 化合物 复合 异质结 红外探测器 及其 制备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





