[发明专利]一种利用氟晶云母进行电极转移的方法在审
| 申请号： | 202310549674.6 | 申请日： | 2023-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN116581021A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;曾华凌;黄辰曦;李泽宇;乔振华 | 申请（专利权）人： | 合肥蔻享数字科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 合肥兆信知识产权代理事务所(普通合伙) 34161 | 代理人： | 朱博文 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区望江西路*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用氟晶云母进行电极转移的方法，1.包括如下工艺步骤：步骤1：提供解理的氟晶云母；步骤2：在氟晶云母表面制作待转移电极；步骤3：在电极和氟晶云母表面设置粘附层；步骤4：在粘附层表面设置支撑层；步骤5：将电极/粘附层/支撑层组成的叠层结构从氟晶云母表面机械剥离；步骤6：将叠层结构转移至目标衬底上并与目标衬底贴合牢固；步骤7：依次将支撑层和粘附层从目标衬底上去除。本发明利用氟晶云母作为制备待转移电极的衬底，相比于大面积的高质量石墨烯成本大幅降低；相比于单晶硅或氧化硅，避免了有毒试剂HMDS的处理过程，提高了待转移电极从衬底上剥离的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 云母 进行 电极 转移 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥蔻享数字科技有限公司，未经合肥蔻享数字科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310549674.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
