[发明专利]提高重掺CVD硅片外观良率的工艺方法在审
| 申请号： | 202310535024.6 | 申请日： | 2023-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN116666194A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 曹乐乐;莫自鹏;赵祥峰 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08;B08B3/12;B08B3/02;B08B1/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种提高重掺CVD硅片外观良率的工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将BSD的喷砂压力降低至0.07MPa。第二步：在BSD完成后必须进行清洗操作。第三步：将所有硅片在荧光灯及聚光灯下目视，观察硅片表面是否存在较为明显的颗粒以及污迹。第四步：进行APCVD前洗净操作。第五步：APCVD加工完成后，将所有硅片在荧光灯及聚光灯下目视，观察硅片表面是否有针孔存在。第六步：将APCVD完成后的硅片先进行单片刷片操作。第七步：硅片进行LPCVD前洗净操作。第八步：LPCVD加工完成后，将所有硅片在荧光灯及聚光灯下目视，观察硅片表面是否有LP污染存在。使APCVD的针孔状不良有了明显改善，LPCVD的LP污染比率有了显著降低，提升了重掺CVD品的外观良率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 cvd 硅片 外观 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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