[发明专利]一种基于激光干涉技术制备单晶硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 202310507102.1 | 申请日： | 2023-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN116219544B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王静;黄志杰 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B23/02;C30B30/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 钱超 |
| 地址： | 210046 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种基于激光干涉技术制备单晶硅薄膜的方法，属于膜材料制备的领域，通过激光照射在衬底表面诱导生成透射率高、膜薄、表面粗糙度小、硅膜在200~860nm的光波段的透射率达到89.502%，在860~1200nm的光波段的透射率达到97.655%，平均透射率达到92.26%，生成了衍射峰为Si（400）晶面的晶化率高，特征峰为522cm |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 干涉 技术 制备 单晶硅 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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