[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法

摘要

本申请涉及太阳能电池领域，公开了一种TOPCon电池的制备方法，包括在硅片正面依次形成层叠的隧穿层和多晶硅层；对硅片的正面一侧进行掺杂，使多晶硅层转换为重掺杂多晶硅层，并在硅片的正面形成轻掺杂层；在重掺杂多晶硅层背离硅片的表面形成图形化掩膜层；去除未与图形化掩膜层对应的重掺杂多晶硅层；去除图形化掩膜层和未与图形化掩膜层对应的隧穿层，形成图形化隧穿层和图形化重掺杂多晶硅层；在硅片的正面形成正面电极，正面电极中的副栅线与图形化重掺杂多晶硅层对应。本申请在正发射极区域形成局部隧穿以及局部重掺杂多晶硅层，可以降低正面电极的接触电阻，同时降低非接触区域的复合，进而提升电池效率，并改善局部EL发暗的情况。