[发明专利]LDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310450879.9 | 申请日： | 2023-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN116364761A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 赵春山;张武志;曹亚民;周维;王艳生 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件，包括第一导电类型的衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，在有源区中采用离子注入工艺形成有间隙阱，位于间隙阱两侧分别形成有第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的漂移区；第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的漂移区上形成有栅氧化层及其上的多晶硅栅极层，栅氧化层横跨间隙阱；栅氧化层、多晶硅栅极层的两侧形成有侧墙；掺杂区中的侧墙一侧的位置形成一第二导电类型的重掺杂源端，漂移区侧墙的另一侧形成有第二导电类型的重掺杂漏端。本发明的器件可支持最高栅压提升明显(～0.5V)，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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