[发明专利]MEMS器件真空度测量方法、装置、计算机设备和存储介质在审
| 申请号： | 202310446718.2 | 申请日： | 2023-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN116659740A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 董显山;黄鑫龙;路国光;周斌;赖灿雄;黄钦文;苏伟 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00;G06F17/11 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄恕 |
| 地址： | 511370 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种MEMS器件真空度测量方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括：获取MEMS器件在真空封装条件下的品质因数；获取MEMS器件在不同气压条件下的品质因数；根据不同气压条件下的品质因数进行拟合，得到拟合方程；基于拟合方程以及真空封装条件下的品质因数进行计算，得到MEMS器件的腔内真空度。整个方案通过测量MEMS器件在不同气压条件下的品质因数，根据不同气压条件下的品质因数进行拟合，得到拟合方程，拟合方程可以准确描述气压与品质因数之间的相关关系，进而根据拟合方程以及真空封装条件下的品质因数进行计算，可以准确地得到MEMS器件的腔内真空度。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 真空 测量方法 装置 计算机 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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