[发明专利]一种在硅片上制备钛酸锶钡多晶薄膜的磁控溅射方法在审
| 申请号： | 202310439409.2 | 申请日： | 2023-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN116623292A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张辉;毛飞龙;侯永琪;朱一凡;殷国栋;倪中华 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C30B28/12 | 分类号： | C30B28/12;C30B29/32;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 曹婷 |
| 地址： | 210096 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅片上制备钛酸锶钡多晶薄膜的磁控溅射方法，涉及高质量纳米多晶薄膜制备技术领域，解决了钛酸锶钡薄膜在硅基片上结晶差的问题的技术问题，其技术方案要点是在硅片上通过磁控溅射直接制备钛酸锶钡多晶薄膜，在硅基片上长出的钛酸锶钡薄膜结晶效果良好，体现在X光衍射图谱中，在(100)、(110)、(111)、(200)和(211)面有较高的强度。SEM电子扫描显微镜结果显示，薄膜致密光滑，厚度可以达到240纳米。其工艺简单，设备简易；直接在硅基片上生长多晶钛酸锶钡纳米薄膜，成本低，可大批量生产。应用本发明制备的薄膜可实现高质量的结晶效果，在可调电容器、MFS晶体管等领域有很大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 制备 钛酸锶钡 多晶 薄膜 磁控溅射 方法 | ||
【主权项】：
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