[发明专利]一种晶圆缺口定位角度偏差实时跟踪装置及方法在审
申请号: | 202310422135.6 | 申请日: | 2023-04-19 |
公开(公告)号: | CN116435222A | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 张波;宣步行 | 申请(专利权)人: | 上海傲博电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海和华启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人: | 余昌昊 |
地址: | 201900 上海市宝山*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了一种晶圆缺口定位角度偏差实时跟踪装置及方法,包括:磁流体部分和运算控制部分;磁流体部分包括磁流体、编码器以及光电传感器;运算控制部分包括运算控制单元及升降机,运算控制单元接收来自编码器的脉冲信号,记录脉冲个数与相角,根据脉冲个数,相角,间隔时间来判断是否找到晶圆缺口位置,避免因晶圆定位角度发生偏移而导致的系统暂停或重启,进而产生的对晶圆造成损害,甚至导致晶圆报废的现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 缺口 定位 角度 偏差 实时 跟踪 装置 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造