[发明专利]一种高介电常数低介电损耗CCTO@NH2在审

专利信息
申请号: 202310389564.8 申请日: 2023-04-13
公开(公告)号: CN116253910A 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 张鹏图;耿雅丽;苑世领;王林杰 申请(专利权)人: 山东石油化工学院
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L79/08;C08K9/12;C08K3/24;C08K3/04;C08K9/04
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 张宏松
地址: 257061 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种高介电常数低介电损耗CCTO@NH2‑rGO/PEI复合薄膜材料的制备方法,该方法首先制备了钛酸铜钙负载的氨基化还原氧化石墨烯溶液,然后将PEI树脂颗粒分散至上述溶液中,通过真空除泡,并加加热除去DMAc溶剂后,得到钛酸铜钙负载的氨基化还原氧化石墨烯/聚醚酰亚胺复合材料(CCTO@NH2‑rGO/PEI),本发明通过钛酸铜钙先对氨基化还原氧化石墨烯进行改性,CCTO纳米颗粒均匀地嵌入氨基化还原氧化石墨烯的片层中,然后与PEI进行复合,大大提高了PEI介电常数,在确保PPO复合材料良好加工性能的同时,既有效地提升了复合材料的介电常数又保证了材料较低的介电损耗。
搜索关键词: 一种 介电常数 低介电 损耗 ccto nh base sub
【主权项】:
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