[发明专利]一种二次电子产额测量的校准装置及方法在审
| 申请号： | 202310382582.3 | 申请日： | 2023-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN116626741A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 邓晨晖;韩立;牛耕;王鹏飞;王岩;赵伟霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | G01T7/00 | 分类号： | G01T7/00;G01T1/29;G01N23/2251 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 韩雪梅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种二次电子产额测量的校准装置及方法，涉及二次电子发射现象及其应用领域；该校准装置包括：电子激发源、法拉第杯、收集极、束流测量仪和移动终端；电子激发源发射电子；收集极收集待测样品在经电子通孔入射的电子的照射下产生的二次电子；束流测量仪在法拉第杯处于电子激发源的下方且全部遮住电子通孔时，测量经法拉第杯传输的电子束束流，并测量二次电子的电流和透过待测样品的电流；移动终端根据二次电子的电流和透过待测样品的电流计算的二次电子产额，以及由二次电子的电流和电子束束流计算的修正系数得到二次电子校准产额；本发明通过依据修正系数进行二次电子产额的校准，实现二次电子产额的准确测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二次电子 测量 校准 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所，未经中国科学院电工研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310382582.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
