[发明专利]一种二次电子产额测量的校准装置及方法

权利要求书

1.一种二次电子产额测量的校准装置，其特征在于，所述校准装置包括：电子激发源、法拉第杯、收集极、束流测量仪和移动终端；

所述法拉第杯与所述电子激发源连接；

所述收集极为开设有电子通孔的罩状结构的电子收集器件，且罩设在待测样品的周围；

所述束流测量仪分别与所述法拉第杯、所述收集极、待测样品和所述移动终端连接；

所述电子激发源用于发射电子；

所述收集极用于收集所述待测样品在经所述电子通孔入射的电子的照射下产生的二次电子；

所述束流测量仪，用于：

在所述法拉第杯处于所述电子激发源的下方且全部遮住所述电子通孔时，测量经所述法拉第杯传输的电子束束流；

测量二次电子的电流和透过待测样品的电流；

所述移动终端，用于：

根据二次电子的电流和透过待测样品的电流计算二次电子产额；

根据二次电子的电流和所述电子束束流计算修正系数；

根据所述修正系数和所述二次电子产额，得到二次电子校准产额。

2.根据权利要求1所述的二次电子产额测量的校准装置，其特征在于，所述束流测量仪包括：单通道测量仪和双通道测量仪；

所述单通道测量仪分别与所述法拉第杯和所述移动终端连接；所述双通道测量仪分别与所述收集极、所述待测样品和所述移动终端连接；

所述单通道测量仪用于测量经所述法拉第杯传输的电子束束流，并将所述电子束束流传输至所述移动终端；

所述双通道测量仪用于测量二次电子的电流和透过待测样品的电流，并将二次电子的电流和透过待测样品的电流传输至所述移动终端。

3.根据权利要求2所述的二次电子产额测量的校准装置，其特征在于，所述单通道测量仪为单通道皮安表；所述双通道测量仪为双通道皮安表。

4.根据权利要求1所述的二次电子产额测量的校准装置，其特征在于，所述电子激发源采用电子枪。

5.根据权利要求1所述的二次电子产额测量的校准装置，其特征在于，所述收集极的材质为金属材质。

6.根据权利要求1所述的二次电子产额测量的校准装置，其特征在于，所述收集极的形状为球形、半球形或者圆筒形。

7.根据权利要求1所述的二次电子产额测量的校准装置，其特征在于，所述校准装置还包括：样品台；所述样品台用于放置待测样品。

8.根据权利要求7所述的二次电子产额测量的校准装置，其特征在于，所述样品台的材质为金属材质。

9.一种二次电子产额测量的校准方法，其特征在于，所述方法采用权利要求1-8中任意一项所述的二次电子产额测量的校准装置，所述方法包括：

获取电子束束流、二次电子的电流和透过待测样品的电流；所述电子束束流为在法拉第杯处于电子激发源的下方且全部遮住电子通孔时，经法拉第杯传输的电子束的电流；所述电子通孔设置在罩状结构的收集极上；二次电子的电流为所述收集极收集的待测样品在经电子通孔入射的电子照射下产生的二次电子对应的电流；

根据二次电子的电流和透过待测样品的电流计算二次电子产额；

根据二次电子的电流和所述电子束束流计算修正系数；

根据所述修正系数和所述二次电子产额，得到二次电子校准产额。