[发明专利]一种二次电子产额测量的校准装置及方法

说明书

本发明公开一种二次电子产额测量的校准装置及方法，涉及二次电子发射现象及其应用领域；该校准装置包括：电子激发源、法拉第杯、收集极、束流测量仪和移动终端；电子激发源发射电子；收集极收集待测样品在经电子通孔入射的电子的照射下产生的二次电子；束流测量仪在法拉第杯处于电子激发源的下方且全部遮住电子通孔时，测量经法拉第杯传输的电子束束流，并测量二次电子的电流和透过待测样品的电流；移动终端根据二次电子的电流和透过待测样品的电流计算的二次电子产额，以及由二次电子的电流和电子束束流计算的修正系数得到二次电子校准产额；本发明通过依据修正系数进行二次电子产额的校准，实现二次电子产额的准确测量。

技术领域

本发明涉及二次电子发射现象及其应用领域，特别是涉及一种二次电子产额测量的校准装置及方法。

背景技术

二次电子发射现象发生在许多场景下，通常用二次电子产额表征二次电子发射的强弱程度。在显微分析和弱信号检测等领域中，需要提高二次电子产额，以提高相关仪器和设备的性能；在空间环境中运行的航天器、高压输电工程设备、大型粒子加速装置等场景下，需要降低二次电子产额，减小二次电子带来的不良影响。因此，开展二次电子发射现象的研究很有必要，特别是针对二次电子产额调控的研究。

二次电子产额调控研究的关键在于对二次电子产额的准确测量。目前的测试方法主要有三种：收集极法、样品偏压法、电荷推导法。相比之下，收集极法具有较强通用性，适用于所有材料的测量，同时测试过程相对简单、可靠、精度高，因此得到了越来越多的关注和使用。但是该方法在使用过程中，收集极自身的收集效率对最终结果的影响常常被忽略，从而导致了二次电子产额测量的不准确。因此，如何实现二次电子产额的准确测量至关重要。

发明内容

本发明的目的是提供一种二次电子产额测量的校准装置及方法，通过依据修正系数进行二次电子产额的校准，实现二次电子产额的准确测量。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种二次电子产额测量的校准装置，所述校准装置包括：电子激发源、法拉第杯、收集极、束流测量仪和移动终端；

所述法拉第杯与所述电子激发源连接；

所述收集极为开设有电子通孔的罩状结构的电子收集器件，且罩设在待测样品的周围；

所述束流测量仪分别与所述法拉第杯、所述收集极、待测样品和所述移动终端连接；

所述电子激发源用于发射电子；

所述收集极用于收集所述待测样品在经所述电子通孔入射的电子的照射下产生的二次电子；

所述束流测量仪，用于：

在所述法拉第杯处于所述电子激发源的下方且全部遮住所述电子通孔时，测量经所述法拉第杯传输的电子束束流；

测量二次电子的电流和透过待测样品的电流；

所述移动终端，用于：

根据二次电子的电流和透过待测样品的电流计算二次电子产额；

根据二次电子的电流和所述电子束束流计算修正系数；

根据所述修正系数和所述二次电子产额，得到二次电子校准产额。

可选地，所述束流测量仪包括：单通道测量仪和双通道测量仪；

所述单通道测量仪分别与所述法拉第杯和所述移动终端连接；所述双通道测量仪分别与所述收集极、所述待测样品和所述移动终端连接；

所述单通道测量仪用于测量经所述法拉第杯传输的电子束束流，并将所述电子束束流传输至所述移动终端；