[发明专利]一种窄直径分布半导体性单壁碳纳米管的制备方法有效
| 申请号： | 202310354968.3 | 申请日： | 2023-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN116281957B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 阮超;丁龙奇;丁显波;曹礼洪 | 申请（专利权）人： | 重庆中润新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/159 | 分类号： | C01B32/159;C01B32/162 |
| 代理公司： | 重庆智慧之源知识产权代理事务所(普通合伙) 50234 | 代理人： | 高彬 |
| 地址： | 401220 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种窄直径分布半导体性单壁碳纳米管的制备方法，在催化剂前驱体二茂铁、催化助剂前驱体稀土金属钇盐以及另一催化助剂前驱体噻吩、低分子烷烃或醇为碳源的条件下，通过调节优化催化剂配比、生长温度、氢气及氦气载气流量，制得窄直径分布半导体性单壁碳纳米管的制备方法，所制备的单壁碳纳米管直径分布介于1.3～1.8nm之间，手性指数包括(15,11)、(17,6)、(17,3)、(13,6)，具备优异的结晶度及热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直径 分布 半导体 性单壁碳 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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