[发明专利]芯片单元切割方法在审
| 申请号： | 202310340324.9 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116487326A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 陈国军;马迪;吴景舟 | 申请（专利权）人： | 迪盛（武汉）微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/544 |
| 代理公司： | 苏州集律知识产权代理事务所(普通合伙) 32269 | 代理人： | 钱超 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市经济技术开发区8MC地*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种芯片单元切割方法，包括：提供基板，所述基板上形成有间隔设置的多个芯片单元，所述芯片单元之间形成有导电线路，所述芯片单元之间定义有切割区域；在所述基板表面涂覆保护层；去除位于切割区域内的保护层；去除位于切割区域内的导电线路；沿切割区域对所述基板进行切割，形成单个芯片单元；去除单个所述芯片单元上的保护层。本发明的芯片单元切割方法，其能够避免切割时因为切割震动而造成芯片单元损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 单元 切割 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
