[发明专利]一种源瓶加热组件及沉积设备在审
申请号: | 202310333475.1 | 申请日: | 2023-03-31 |
公开(公告)号: | CN116288259A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 何吉超;吴凤丽;董文惠;吉万顺;朱晓亮;路希龙 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/455 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 宋南 |
地址: | 201306 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体沉积设备技术领域,具体涉及一种源瓶加热组件及沉积设备。本发明提供的一种源瓶加热组件,包括托板、第一加热带、第二加热带、第三加热带和预紧机构,所述第三加热带设置在所述托板上,所述源瓶放置在所述第三加热带上;所述第二加热带贴合于所述源瓶的侧面,所述第一加热带盖合于所述源瓶的上表面;所述预紧机构包括夹紧结构和下压结构,所述夹紧结构用于夹紧所述第一加热带。瓶体的上表面、侧面和下表面分别与第一加热带、第二加热带和第三加热带相接触,使得瓶体的上表面、侧面和下表面均能够被加热,提高了加热效果,通过控制第三加热带、第二加热带和第一加热带的温度依次递增,以适应固体加热的温度需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 加热 组件 沉积 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拓荆科技(上海)有限公司,未经拓荆科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310333475.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的