[发明专利]闪存器件的制备方法在审
| 申请号： | 202310330634.2 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116390488A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 胡正新;李小康;李雪健;王振远 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 崔莹 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存器件的制备方法，包括：在衬底上的第一沟槽、第二沟槽内形成第一介质层；形成第二介质层；形成第三介质层；根据第一介质层、第二介质层和第三介质层的总厚度，刻蚀去除部分厚度的第三介质层；形成侧墙结构；在第一沟槽中自对准沉积第四介质层；去除所述侧墙结构上的所述第四介质层。本申请通过根据第一介质层、第二介质层和第三介质层的总厚度，自适应刻蚀去除部分厚度的第三介质层，接着在形成侧墙结构后自对准沉积第四介质层，这样可以改善侧墙结构的厚度均匀性，也可以避免侧墙结构中的第一介质层被误腐蚀发生侧掏的情况，优化闪存器件存储区域的侧墙工艺，也调整形成金属硅化物前的沟道长度，降低了漏电风险。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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