[发明专利]一种用于提高稳定同位素丰度的扰频材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202310324593.6 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116493012A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 唐俊;刘振兴;胡石林;马川;熊伟;叶一鸣;吕卫星;张海涛 | 申请（专利权）人： | 安徽中核桐源科技有限公司 |
| 主分类号： | B01J23/75 | 分类号： | B01J23/75;B01J23/755;B01D59/02;B01D59/04 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 王临水 |
| 地址： | 231400 安徽省安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于提高稳定同位素丰度的扰频材料及其制备方法，属于同位素催化转化技术领域。本发明将氧化铜和氧化石墨烯分散于水中，得到二元复合物分散液；将过渡金属盐溶液与表面活性剂反应得到纳米溶液；将纳米溶液和还原剂加入二元复合物分散液中进行反应，即得到用于提高稳定同位素丰度的扰频材料。本发明得到的扰频材料用于同位素转化过程中仅需要300～500℃的温度环境即可实现转化，且材料稳定性高，不会因长期使用而导致活性材料掉落，延长了扰频材料的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 稳定 同位素 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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