[发明专利]一种用于提高稳定同位素丰度的扰频材料及其制备方法

权利要求书

1.一种用于提高稳定同位素丰度的扰频材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将氧化铜和氧化石墨烯分散于水中，得到二元复合物分散液；

2)将过渡金属盐溶液与表面活性剂反应得到纳米溶液；

3)将纳米溶液和还原剂加入二元复合物分散液中进行反应，即得到用于提高稳定同位素丰度的扰频材料。

2.根据权利要求1所述的用于提高稳定同位素丰度的扰频材料的制备方法，其特征在于，所述氧化铜、氧化石墨烯和水的质量体积比为1～10g：25～35g：100～150mL。

3.根据权利要求2所述的用于提高稳定同位素丰度的扰频材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，分散在超声下进行，超声的频率为200～300Hz。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的用于提高稳定同位素丰度的扰频材料的制备方法，其特征在于，所述过渡金属盐溶液的浓度为35～55wt％，所述过渡金属盐包含乙酸钴、硝酸钴、氯化铁、硝酸铁、氯化铜、氯化镍和氯化锰中的一种或几种。

5.根据权利要求4所述的用于提高稳定同位素丰度的扰频材料的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂包含聚乙烯吡咯烷酮、十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基氯化铵、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠和聚乙二醇中的一种或几种，所述过渡金属盐溶液和表面活性剂的用量比为50～100mL：1～5g。

6.根据权利要求1或3或5所述的用于提高稳定同位素丰度的扰频材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，反应的温度为50～80℃，反应的时间为1～3h。

7.根据权利要求6所述的用于提高稳定同位素丰度的扰频材料的制备方法，其特征在于，所述还原剂包含乙醇、甲醇、丙酮、水合肼和硼氢化钠中的一种或几种，所述还原剂的用量为纳米溶液质量的1～5％，所述纳米溶液和二元复合物分散液的体积比为1：1～3。

8.根据权利要求1或5或7所述的用于提高稳定同位素丰度的扰频材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，反应的温度为20～35℃，反应的时间为2～4h。

9.根据权利要求8所述的用于提高稳定同位素丰度的扰频材料的制备方法，其特征在于，步骤3)所得反应产物在55～65℃的温度下干燥40～60min。

10.权利要求1～9任意一项所述的制备方法得到的用于提高稳定同位素丰度的扰频材料。