[发明专利]一种高导电的共轭配位聚合物材料及其制备与应用在审
| 申请号： | 202310321172.8 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116355230A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王成亮;樊坤;陈远;戴慧超;曹跃跃;董焕丽 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;H01M4/60;H01M4/137;H01B1/12 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明属于配位化学技术领域，公开了一种高导电的共轭配位聚合物材料及其制备与应用，该共轭配位聚合物材料是以2,3,7,8‑四氨基‑1,4,6,9‑四醌酚嗪作为配体，以铜离子作为中心金属节点，形成的具有三维框架结构的共轭配位聚合物。本发明通过对共轭配位聚合物材料的组成、结构进行改进，得到的具有三维框架结构的共轭配位聚合物，具有良好的结晶性，并且具有高导电性，粉末样品的导电率可达11S m |
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| 搜索关键词： | 一种 导电 共轭 配位聚合 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
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