[发明专利]一种富含缺陷簇单层MoS2

摘要

本发明涉及电学材料制备技术领域，具体涉及一种富含缺陷簇单层MoS2、制备方法及其应用，利用CVD方法合成富含3FeMo‑VS缺陷簇的单层Fe掺杂MoS2样品，在单层2D TMDs中制备丰富的替位掺杂‑空位形成的缺陷簇，并研究该类缺陷簇对单层2D TMDs物理性质的影响，对未掺杂单层MoS2和含3FeMo‑VS缺陷簇单层MoS2的电学测试表明3FeMo‑VS缺陷簇对单层MoS2提供了空穴掺杂(P型掺杂)作用，与常见孤立FeMo掺杂对单层MoS2样品造成电子掺杂(N型掺杂)的情况完全不同，此外，3FeMo‑VS缺陷簇的存在使得单层Fe掺杂MoS2样品与金属电极间形成良好的欧姆接触，消除了金属‑半导体之间的肖特基接触势垒。