[发明专利]一种富含缺陷簇单层MoS2

权利要求书

1.一种富含缺陷簇单层MoS₂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，将铁盐、含钼化合物与卤素盐的混合物或钼酸铁与卤素盐的混合物作为前驱体放置在容器中；

S2，在盛放前驱体的容器正上方放置一片干净的生长衬底；

S3，将固体硫源放置在另一个容器中或者使用气体硫源硫化前驱体；

S4，将盛放前驱体和硫源的两个容器分别放置在双温区管式炉的高温区和低温区，将惰性气体通入炉管，排尽空气，然后将惰性气体流量调低并升高高温区的温度，待高温区温度升到预定温度时开始加热低温区，待高温区升高到生长温度时，低温区恰能升高至固体硫源熔化的温度，使高温区和低温区进行反应，待反应完成后，使反应体系降至室温，完成缺陷簇单层MoS₂的生长。

2.如权利要求1所述的一种富含缺陷簇单层MoS₂的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中铁盐为铁的氯化物或铁的硫化物，含钼化合物为钼粉、钼的氧化物、含钼卤盐、含钼硫酸盐、含钼铵盐和含钼有机盐中的任意一种。

3.如权利要求1所述的一种富含缺陷簇单层MoS₂的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中卤素盐为氟、氯、溴、碘与锂、钠、钾、铯形成的所有卤素盐中的任意一种。

4.如权利要求1所述的一种富含缺陷簇单层MoS₂的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中钼酸铁和卤素盐的质量比为1：1～1：9，前驱体的质量为1～5mg。

5.如权利要求1所述的一种富含缺陷簇单层MoS₂的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的生长衬底为SiO₂/Si衬底、蓝宝石衬底、云母衬底或其他可以作为生长衬底的材料中的一种，容器为陶瓷舟、石英舟或其他耐硫腐蚀耐高温容器中的任意一种。

6.如权利要求1所述的一种富含缺陷簇单层MoS₂的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中的固体硫源为固态升华硫粉、含硫无机物和含硫有机物中的任意一种，气体硫源为H₂S气体或气态CS₂。

7.如权利要求1所述的一种富含缺陷簇单层MoS₂的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中的惰性气体为氮气、氩气或氮气和氩气的混合气。

8.如权利要求1所述的一种富含缺陷簇单层MoS₂的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中预定温度为350～520℃，生长温度为550～720℃，高温区和低温区升温速率为10～25℃/min，高温区达到生长温度后维持5～20min。

9.一种采用如权利要求1～8任一项所述的制备方法制得的富含缺陷簇单层MoS₂。

10.一种如权利要求9所述的富含缺陷簇单层MoS₂在电子器件中的应用。