[发明专利]改善铜阻挡层形貌的方法在审
| 申请号： | 202310286354.6 | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116206971A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 杨猛 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善铜阻挡层形貌的方法，包括：提供一批次的晶圆；利用终点控制系统对晶圆进行第一次化学机械研磨直至漏出BD层；对晶圆进行第二次化学机械研磨，在对第i片晶圆进行研磨时，根据之前研磨的i‑1个晶圆所得到的i‑1个时间修正值及i‑1个压力修正值对其研磨时间及研磨压力进行修正；对于所述批次的第一片晶圆，是通过设置初始研磨时间及初始研磨压力对其进行第二次化学机械研磨的，且在所述批次的晶圆完成研磨后，对第一片晶圆的研磨时间及研磨压力进行修正以对其进行第三次化学机械研磨。通过本发明解决了现有的对同一批次晶圆的铜阻挡层进行化学机械研磨后晶圆的形貌均匀性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 阻挡 形貌 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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