[发明专利]外延控制方法、装置、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202310283979.7 | 申请日： | 2023-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN116334751A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 曹建伟;沈文杰;周田莉;张文浩;潘文博 | 申请（专利权）人： | 浙江求是创芯半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;H01L21/20;G05D23/30 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 孙诗惠 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提出了一种外延控制方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：将衬底装入反应腔；根据所述反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制所述反应腔的温度升至目标生长温度；控制所述衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。本申请实施例的外延控制方法，基于反应腔各温区对应的补偿温度控制反应腔的温度升至目标生长温度，保证了反应腔各温区的一致性，进而一定程度上消除或改善了衬底外延生长过程中形成的滑移线，提高了外延层的表面质量，进而提高了产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 控制 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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