[发明专利]外延控制方法、装置、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202310283979.7 | 申请日： | 2023-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN116334751A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 曹建伟;沈文杰;周田莉;张文浩;潘文博 | 申请（专利权）人： | 浙江求是创芯半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;H01L21/20;G05D23/30 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 孙诗惠 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 控制 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
1.一种外延控制方法，其特征在于，包括：
将衬底装入反应腔；
根据所述反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制所述反应腔的温度升至目标生长温度；
控制所述衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。
2.根据权利要求1所述的外延控制方法，其特征在于，所述根据所述反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制所述反应腔的温度升至目标生长温度，包括：
根据所述补偿温度和所述目标生长温度，确定所述反应腔各温区的目标控制温度；
采用所述目标控制温度，控制所述反应腔的温度升至所述目标生长温度。
3.根据权利要求2所述的外延控制方法，其特征在于，还包括：
获取所述衬底外延生长过程中所述反应腔各温区的实际温度；
根据所述反应腔各温区的所述实际温度对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内。
4.根据权利要求3所述的外延控制方法，其特征在于，所述根据所述反应腔各温区的所述实际温度对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内，包括：
根据所述反应腔各温区的所述实际温度计算所述反应腔各边缘温区与所述反应腔中心温区的第一温度差值；
根据所述第一温度差值对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内。
5.根据权利要求1所述的外延控制方法，其特征在于，还包括：
将离子注入片装入所述反应腔；
控制所述反应腔的温度升至目标烘烤温度；
控制所述反应腔对所述离子注入片烘烤目标时间；
测量所述离子注入片各温区的电阻率；
根据所述电阻率确定所述离子注入片各温区的温度；
根据所述离子注入片各温区的温度确定所述反应腔各温区对应的所述补偿温度。
6.根据权利要求5所述的外延控制方法，其特征在于，所述根据所述离子注入片各温区的温度确定所述反应腔各温区对应的所述补偿温度，包括：
根据所述离子注入片各温区的温度计算所述离子注入片各边缘温区与中心温区的第二温度差值；
根据所述第二温度差值确定所述补偿温度。
7.一种外延控制装置，其特征在于，包括：
装入模块，用于将衬底装入反应腔；
第一控制模块，用于根据所述反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制所述反应腔的温度升至目标生长温度；
第二控制模块，用于控制所述衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。
8.根据权利要求7所述的外延控制装置，其特征在于，所述第一控制模块进一步用于：
根据所述补偿温度和所述目标生长温度，确定所述反应腔各温区的目标控制温度；
采用所述目标控制温度，控制所述反应腔的温度升至所述目标生长温度。
9.根据权利要求8所述的外延控制装置，其特征在于，所述第一控制模块还用于：
获取所述衬底外延生长过程中所述反应腔各温区的实际温度；
根据所述反应腔各温区的所述实际温度对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内。
10.根据权利要求9所述的外延控制装置，其特征在于，所述第一控制模块进一步用于：
根据所述反应腔各温区的所述实际温度计算所述反应腔各边缘温区与所述反应腔中心温区的第一温度差值；
根据所述第一温度差值对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内。
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