[发明专利]一种镁基三元储氢合金薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310275635.1 申请日: 2023-03-20
公开(公告)号: CN116240494A 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 王辉;余少博;黄亮君;欧阳柳章;刘江文;朱敏 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C23C14/16 分类号: C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35
代理公司: 佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) 44463 代理人: 王余钱
地址: 510640*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种镁基三元储氢合金薄膜及其制备方法,所述镁基三元储氢合金薄膜结构包括依次设置的镁基三元合金层、催化层和表面覆盖层。所述的镁基三元合金层的元素组成为Mg80Ni16V4。所述的催化层和表面覆盖层元素组成为Pd。该方法通过物理气相沉积(PVD)将Mg‑Ni合金靶和高纯度V靶材共溅射、共沉积至预处理的基底上,中间穿插高纯度Pd靶材的溅射沉积以获得Pd催化层,最后在薄膜表面再次沉积一层Pd作为表面覆盖层对薄膜进行封装。本发明制备得到的镁基三元储氢合金薄膜具有制备工艺简单、成本低、可在低温下可逆吸放氢的优点。其吸放氢可在150℃下进行,150℃下活化后可逆储氢容量可达3.8wt.%以上。相较于纯镁储氢(纯镁最低放氢温度约为400℃),其放氢温度显著降低。
搜索关键词: 一种 三元 合金 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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