[发明专利]一种提高ITO薄膜晶体管电学性能的方法在审
| 申请号： | 202310274790.1 | 申请日： | 2023-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN116313816A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 高庆国;曹天凡;黎家兵;刘黎明;刘萍;于淼;潘新建 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786;C23C14/35;C23C14/24;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广东雅商律师事务所 44652 | 代理人： | 杜海江 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高ITO薄膜晶体管电学性能的方法，该方法首先在室温、高度真空环境下，磁控溅射仪以射频磁控溅射的方式溅射N型薄膜晶圆来形成ITO薄膜，然后金属银加热蒸发后形成ITO薄膜晶体管的源漏电极，最终金属铝加热蒸发后形成ITO薄膜晶体管的氧化铝钝化层。ITO薄膜晶体管经过两步退火工艺以及氧化铝钝化工艺处理，两步退火工艺包括对ITO薄膜采用的预退火工艺和对ITO薄膜晶体管采用的后退火工艺。与现有技术相比，氧化铝钝化工艺可以大幅度提高ITO薄膜晶体管的迁移率，并且兼顾高电流开关比，工艺简单易操作，并进一步提升ITO晶体管的性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 ito 薄膜晶体管 电学 性能 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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