[发明专利]一种提高ITO薄膜晶体管电学性能的方法

权利要求书

1.一种提高ITO薄膜晶体管电学性能的方法，其特征在于，包括：

该方法的具体步骤如下：在室温、高度真空环境下，在磁控溅射仪的其中一个射频溅射靶位装载靶材，靶材为氧化铟锡，磁控溅射仪以射频磁控溅射的方式溅射衬底（1）由磷掺杂硅形成、二氧化硅作为绝缘层（2）的N型薄膜晶圆以形成ITO薄膜作为ITO薄膜晶体管的有源层（3），然后热蒸发仪采用真空热蒸发镀膜法对导电金属加热蒸发后形成ITO薄膜晶体管的源漏电极（4），最后，采用真空热蒸发镀膜法对铝加热蒸发后形成ITO薄膜晶体管的钝化层（5），从而制成自下而上依次设置有衬底（1）、绝缘层（2）、有源层（3）、源漏电极（4）和钝化层（5）的ITO薄膜晶体管，所述ITO薄膜晶体管经过钝化工艺及两步退火工艺处理，两步退火工艺包括对ITO薄膜采用的预退火工艺和对ITO薄膜晶体管采用的后退火工艺。

2.根据权利要求1所述的提高ITO薄膜晶体管电学性能的方法，其特征在于所述靶材的摩尔比= 9:1，磁控溅射仪的功率设置为90 W，溅射时间为720 s，磁控溅射时，氩气与氧气的流量分别为50sccm 和5sccm。

3.根据权利要求1所述的提高ITO薄膜晶体管电学性能的方法，其特征在于所述导电金属为银。

4.根据权利要求1所述的提高ITO薄膜晶体管电学性能的方法，其特征在于所述为两步退火工艺，所述两步退火工艺的具体步骤如下：

a、打开石英管阀门，ITO薄膜放入石英管的中间位置，安装石英管阀门，将加热炉移动到对应ITO薄膜的位置；

b、开启加热炉，设置退火温度为200℃，退火时长为15min，氛围为真空；

c、等待退火结束，温度降低后取出ITO薄膜；

d、将银单质放入蒸发舟，待热蒸发仪达到真空时，启动热蒸发仪的加热电源并手动控制和逐次加压，当银单质的淀积速率稳定在1埃/秒时，开始正式的热蒸发过程，在ITO薄膜的沟道的两侧加热蒸发一层60 nm厚的银单质作为ITO薄膜晶体管的源漏电极；

e、设置加热板温度为80℃，达到加热板温度时，将制好的ITO薄膜晶体管放置在加热板上，时间为15min，氛围为空气；

f、在探针台上测试ITO薄膜晶体管的性能。

5.根据权利要求1所述的提高ITO薄膜晶体管电学性能的方法，其特征在于所述钝化层为氧化铝，所述钝化工艺的具体步骤如下：

A、打开石英管阀门，ITO薄膜放入石英管的中间位置，安装石英管阀门，将加热炉移动到对应ITO薄膜的位置；

B、开启加热炉，设置退火温度为200℃，退火时长为15min，氛围为真空；

C、等待退火结束，温度降低后取出ITO薄膜；

D、将银单质放入蒸发舟，待热蒸发仪达到真空时，启动热蒸发仪的加热电源并手动控制和逐次加压，当银单质的淀积速率稳定在1埃/秒时，开始正式的热蒸发过程，在ITO薄膜的沟道的两侧加热蒸发一层60 nm厚的银单质作为ITO薄膜晶体管的源漏电极；

E、将Al单质放入蒸发舟，待热蒸发仪达到真空时，启动热蒸发仪的加热电源并手动控制和逐次加压，当铝单质的淀积速率稳定在0.2埃/秒时，开始正式的热蒸发过程，最终通过铝自然氧化，在ITO薄膜的表面形成氧化铝层作为ITO薄膜晶体管的钝化层；

F、设置加热板温度为80℃，达到加热板温度时，将制好的有氧化铝钝化层的ITO薄膜晶体管放置在加热板上，时间为15min，氛围为空气

G、在探针台上测试ITO薄膜晶体管的性能。