[发明专利]一种半导体级单晶硅生产工艺在审
| 申请号： | 202310271184.4 | 申请日： | 2023-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN116479516A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 陈伟鹏;边疆;李鹏 | 申请（专利权）人： | 内蒙古赛宝伦科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京中知音诺知识产权代理事务所(普通合伙) 13138 | 代理人： | 杨月雯 |
| 地址： | 010000 内蒙古自治区呼和浩特市经济技术*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体级单晶硅生产工艺，包括步骤：S1、选料，在矿坑选取石英石矿石15‑30份，经检测选用二氧化硅含量在95％以上的石英石矿石；S2、将S1中的原材料放入专用的清洗容器中，利用高压水枪，持续翻转清洗并烘干；S3、将S2中的原材料放入粉碎机中进行粉碎，获得石英石矿石粉末材料15‑30份；S4、将S3中的原料装入石英煅烧炉中，先用氮气除尽炉内的空气，在900‑1000℃进行煅烧2‑5小时。通过该方法制备的单晶硅片，在最后的提纯的阶段，不使用坩埚，能避免坩埚污染，因而可以制备纯度很高的单晶，提高了晶圆的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 单晶硅 生产工艺 | ||
【主权项】：
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