[发明专利]一种紫外LED外延片及外延生长方法、紫外LED在审
| 申请号： | 202310244919.4 | 申请日： | 2023-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN116364821A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种紫外LED外延片及外延生长方法、紫外LED，通过提出一种全新的量子阱层，具体的，在生长量子阱层的过程中，掺入TMIn，可以作为表面活性剂，增加Al的迁移，同时也可以起到提高晶体质量的作用，并控制Al组分先阶段性降低，再阶段性升高，通过这种方式可以缓解量子阱层和量子垒层之间因为带隙不同产生的较大的极化场，同时，也可以限制电子溢流，从而可以提高电子和空穴的复合效率，另外，由于量子阱层中的Al组分低于量子垒层的Al组分，使得量子垒层的能带高于量子阱层，有利于外延片发光波长的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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