[发明专利]一种TiZrV-Al磁控溅射靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 202310235771.8 | 申请日： | 2023-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN116555714A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 罗成;蒙峻;魏宁斐;杨建成;李长春;焦纪强;朱小荣;杨伟顺;刘建龙;柴振;万亚鹏;蔺晓建;谢文君;马向利;张喜平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;B22F3/15;B22F5/12;C22C16/00;C23C14/16;C22C30/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 王春霞 |
| 地址： | 730013 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种TiZrV‑Al磁控溅射靶材及其制备方法。所述TiZrV‑Al磁控溅射靶材包括内衬管和设于内衬管外的一段或多段TiZrV‑Al靶材；TiZrV‑Al磁控溅射靶材的制备方法包括如下步骤：将TiZrV‑Al粉体填充于模具中石墨模具与纯钛内衬管之间的环腔中；石墨模具与纯钛内衬管的两端配合石墨板；将模具进行脱气，然后置于惰性气氛中进行烧制得到靶材毛坯；从模具中取出纯钛内衬管，对胚料内壁进行车削得TiZrV‑Al靶材；将一段或多段TiZrV‑Al靶材布置于内衬管上即得。本发明TiZrV‑Al薄膜对活性气体具有更大的饱和容量，具有更多的激活次数，且重新激活后吸气能力不会明显下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tizrv al 磁控溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院近代物理研究所，未经中国科学院近代物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310235771.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：便于操作维护的闸阀
- 下一篇：长距离绿化带修剪成型车
- 同类专利
- 专利分类
