[发明专利]一种TiZrV-Al磁控溅射靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种TiZrV-Al磁控溅射靶材，包括内衬管和设于所述内衬管外的一段或多段TiZrV-Al靶材；

所述内衬管的材质为不锈钢；

所述TiZrV-Al靶材的原子数含量如下：

10％≤Ti≤20％，30％≤Zr≤35％，30％≤V≤35％，15％≤Al≤25％。

2.根据权利要求1所述的TiZrV-Al磁控溅射靶材，其特征在于：所述内衬管呈圆形；

所述内衬管的内径为8～72mm，外径为12～80mm。

3.根据权利要求1或2所述的TiZrV-Al磁控溅射靶材，其特征在于：每段所述TiZrV-Al靶材的长度为10～170mm。

4.根据权利要求3所述的TiZrV-Al磁控溅射靶材，其特征在于：所述内衬管与所述TiZrV-Al靶材之间设有0.2～0.3mm厚的铟垫。

5.根据权利要求4所述的TiZrV-Al磁控溅射靶材，其特征在于：所述内衬管的两端均螺纹配合一卡座，所述卡座的另一端与磁控溅射镀膜设备中的磁流体卡套以插入式的方式连接。

6.权利要求1-5中任一项所述TiZrV-Al磁控溅射靶材的制备方法，包括如下步骤：

S1、将TiZrV-Al粉体填充于模具中石墨模具与纯钛内衬管之间的环腔中；

所述石墨模具与所述纯钛内衬管的两端配合石墨板，用于密封所述石墨模具与所述纯钛内衬管之间的环腔；

S2、将所述模具进行脱气，然后置于惰性气氛中进行烧制，得到靶材毛坯；

S3、从所述模具中取出所述纯钛内衬管，对胚料内壁进行车削得到所述TiZrV-Al靶材；

S4、将一段或多段所述TiZrV-Al靶材布置于所述内衬管上，即得所述TiZrV-Al磁控溅射靶材。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述纯钛内衬管内填充有石墨棒。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述烧制的条件如下：

温度为1200～1450℃，压力为100～155MPa，时间为5～8h；

步骤S4中，在布置所述TiZrV-Al靶材之前还包括在所述内衬管上布置所述铟垫的步骤。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述TiZrV-Al粉体由钛粉、锆粉、矾粉和铝粉经球磨得到；

所述球磨的介质为氧化锆陶瓷球，所述氧化锆陶瓷球的球体配比为D15：D10：D5：D3＝1：1：2：2；

所述球磨的条件如下：

转速为400～700r/min，时间为9～15h。