[发明专利]一种ZnO/ZnSe/Ag纳米复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 202310235710.1 | 申请日： | 2023-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN116598374A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 彭嘉隆;吴茴;朱志宏;张检发;郭楚才;刘肯;徐威;杨镖;袁晓东 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/109;H01L31/032;C23C16/40;C23C16/30 |
| 代理公司： | 国防科技大学专利服务中心 43202 | 代理人： | 关洪涛 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种ZnO/ZnSe/Ag纳米复合材料的制备方法，包括：S1、对FTO衬底进行清洗处理；S2、在FTO衬底上旋涂ZnO籽晶层；S3、通过水热法生长ZnO纳米棒阵列；S4、通过化学气相沉积法制备ZnO/ZnSe核壳异质结；S5、制备ZnO/ZnSe/Ag纳米复合材料。本发明利用原位合成异质结，表面负载金属颗粒，制备工艺流程简单、可重复性高、成本低，并且ZnO/ZnSe/Ag纳米复合材料在光电化学领域有很好的优势，在光强为100mW/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 zno znse ag 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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