[发明专利]零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑在审

专利信息
申请号: 202310229440.3 申请日: 2023-03-10
公开(公告)号: CN116232169A 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 阳辉;伊禹名;林鹤云 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02P27/06 分类号: H02P27/06;H02P21/22;H02M7/5387;H02M1/088
代理公司: 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 代理人: 杨敬
地址: 210096 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于电机技术领域,公开零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑,所述拓扑结构包括第一电压源逆变器、单相桥臂以及零序调磁型记忆电机三相电机绕组;所述拓扑连接方式为:输入电源直接接到第一电压源逆变器与单相桥臂的直流母线上,三相电机绕组打开的三个端口与第一电压源逆变器相连,零序调磁型记忆电机三相电机绕组闭合端形成的中性点与单相桥臂相连。本发明所述零序调磁型记忆电机是通过零序电流的幅值和方向改变低矫顽力永磁体的磁化状态。本发明通过将电机中性点与单相桥臂连接以提供零序通路,通过控制单相桥臂的开关情况控制零序电流的幅值和方向。本发明与传统直流调磁型记忆电机的调磁方法相比省去了直流电源。
搜索关键词: 零序调磁型 记忆 电机 三相 四桥臂型 驱动 集成 拓扑
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