[发明专利]零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑在审
| 申请号: | 202310229440.3 | 申请日: | 2023-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN116232169A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
| 发明(设计)人: | 阳辉;伊禹名;林鹤云 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
| 主分类号: | H02P27/06 | 分类号: | H02P27/06;H02P21/22;H02M7/5387;H02M1/088 |
| 代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 杨敬 |
| 地址: | 210096 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 零序调磁型 记忆 电机 三相 四桥臂型 驱动 集成 拓扑 | ||
1.零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑,其特征在于,所述拓扑结构包括第一电压源逆变器、单相桥臂以及零序调磁型记忆电机三相电机绕组;
所述拓扑连接方式为:输入电源直接接到第一电压源逆变器与单相桥臂的直流母线上,三相电机绕组打开的三个端口与第一电压源逆变器相连,零序调磁型记忆电机三相电机绕组闭合端形成的中性点与单相桥臂相连。
2.根据权利要求1所述的零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑,其特征在于,所述零序调磁型记忆电机三相电机绕组打开端分别与所述第一电压源逆变器内的三相桥臂相连,所述零序调磁型记忆电机三相电机绕组闭合端形成的中性点与所述单相桥臂相连,形成三相四桥臂拓扑结构。
3.根据权利要求1所述的零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑,其特征在于,所述拓扑结构工作原理为:当所述零序调磁型记忆电机工作在稳态时,此时零序电流值应为0,通过使S1和S2交替导通使得零序电流值为0;在需要进行调磁时,若需要施加正向电流偏置,则此时零序电流从零序调磁型记忆电机的中性点流向单相桥臂,此时S2的开关管开通,S1的开关管关断同时S1的二极管起续流作用;若需要施加反向电流偏置,则此时零序电流从单相桥臂流向零序调磁型记忆电机的中性点,此时S1的开关管开通,S2的开关管关断同时S2的二极管起续流作用。
4.根据权利要求2所述的零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑,其特征在于,对所述第一电压源逆变器所含三相桥臂的控制与对所述单相桥臂的控制是独立的,在对所述单相逆变器进行控制时,并不会改变所述第一电压源逆变器的传统电压调制策略。
5.根据权利要求3所述的零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑,其特征在于,所述零序调磁型记忆电机是通过零序电流的幅值和方向改变低矫顽力永磁体的磁化状态,以实现宽调速范围。
6.根据权利要求5所述的零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑,其特征在于,所述零序调磁型记忆电机的中性点与单相桥臂相连以提供零序通路,通过改变单相桥臂的占空比改变零序电流的幅值与方向。
7.根据权利要求6所述的零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑,其特征在于,所述零序调磁型记忆电机稳态运行时,单相桥臂占空比为50%,零序电流为0。
8.根据权利要求6所述的零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑,其特征在于,所述零序调磁型记忆电机在调磁瞬态时,通过改变单相桥臂的占空比来实现施加正向直流偏置电流或反向直流偏置电流以改变低矫顽力永磁体的磁化状态。
9.根据权利要求1所述的零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑,其特征在于,所述零序调磁型记忆电机需要调磁时,通过PI控制进行零序调磁电流的给定。
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