[发明专利]一种厚引线框架的制造方法在审
| 申请号： | 202310221598.6 | 申请日： | 2023-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN116230554A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 罗小平 | 申请（专利权）人： | 崇辉半导体（江门）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司： | 深圳维启专利代理有限公司 44827 | 代理人： | 邢晓叶 |
| 地址： | 529040 广东省江门市江海区金瓯*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体领域，更具体地说，它涉及一种厚引线框架的制造方法。一种厚引线框架的制造方法，包括：提供金属卷带；贴附第一感光干膜、第二感光干膜；图案化形成第一干膜图案层与第二干膜图案层；第一干膜图案层的相邻第一引脚补偿扩大图案/第二干膜图案层的相邻第二引脚补偿扩大图案之间一体连接有第一间隙维持条/第二间隙维持条，第一间隙维持条/第二间隙维持条任一条宽度小于等于对应第一引脚补偿扩大图案/第二引脚补偿扩大图案的图像轮廓补偿距离；对金属卷带双面过度蚀刻形成多个厚引线框架一体连接的卷带；第一间隙维持条与第二间隙维持条的内表面没有贴附金属。本申请具有改善厚引线框架在制备过程中图形不准确的问题的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引线 框架 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
