[发明专利]一种厚引线框架的制造方法

权利要求书

1.一种厚引线框架的制造方法，其特征在于，包括：

S1、提供厚度在0.5mm以上的金属卷带(10)；

S2、在所述金属卷带(10)上表面与下表面分别贴附第一感光干膜(20)与第二感光干膜(30)；

S3、图案化所述第一感光干膜(20)与第二感光干膜(30)以分别形成第一干膜图案层(21)与第二干膜图案层(31)，所述第一干膜图案层(21)具有第一引脚补偿扩大图案(22)，所述第二干膜图案层(31)具有第二引脚补偿扩大图案(32)，所述第一引脚补偿扩大图案(22)与第二引脚补偿扩大图案(32)相互对应；所述第一干膜图案层(21)的相邻第一引脚补偿扩大图案(22)之间一体连接有第一间隙维持条(23)，所述第二干膜图案层(31)的相邻第二引脚补偿扩大图案(32)之间一体连接有第二间隙维持条(33)，所述第一间隙维持条(23)与第二间隙维持条(33)的任一条宽度小于等于对应第一引脚补偿扩大图案(22)或第二引脚补偿扩大图案(32)的图像轮廓补偿距离；

S4、在所述第一干膜图案层(21)与第二干膜图案层(31)的刻蚀阻挡下，对所述金属卷带(10)的上表面、下表面进行双面过度蚀刻，所述金属卷带(10)形成的内侧蚀引脚(41)缩于第一引脚补偿扩大图案(22)与第二引脚补偿扩大图案(32)，以形成多个厚引线框架(40)一体连接的卷带；所述厚引线框架(40)的引脚(41)内溃缩侧蚀使得第一间隙维持条(23)与第二间隙维持条(33)的内表面不残留有贴附金属。

2.根据权利要求1所述的厚引线框架的制造方法，其特征在于：在步骤S3中，所述第一间隙维持条(23)或/与所述第二间隙维持条(33)对金属卷带(10)的附着力大于等于30μm。

3.根据权利要求1所述的厚引线框架的制造方法，其特征在于：在步骤S3中，所述第一间隙维持条(23)位于第一感光干膜(20)对应引脚(41)处的内端，所述第二间隙维持条(33)位于第二感光干膜(30)对应引脚(41)处的内端。

4.根据权利要求1所述的厚引线框架的制造方法，其特征在于：在步骤S3中，所述第一间隙维持条(23)/第二间隙维持条(33)的长度大于等于0.2mm，以维持相邻的所述第一引脚补偿扩大图案(22)/第二引脚补偿扩大图案(32)之间的最小宽度。

5.根据权利要求1所述的厚引线框架的制造方法，其特征在于：在步骤S3中，所述第一间隙维持条(23)与第二间隙维持条(33)错位设置。

6.根据权利要求1所述的厚引线框架的制造方法，其特征在于：在步骤S4中，线宽补偿中的补偿值在0.9-1.2mm。

7.根据权利要求1所述的厚引线框架的制造方法，其特征在于：在步骤S3中，所述第一干膜图案层(21)具有第一锁孔图案(24)，所述第二干膜图案层(31)具有第二锁孔图案(34)，所述第一锁孔图案(24)/第二锁孔图案(34)的孔径范围在0.025-0.045mm。

8.根据权利要求1所述的厚引线框架的制造方法，其特征在于：在步骤S1中，所述金属卷带(10)的厚度为0.5-1.5mm。

9.一种厚引线框架(40)，其特征在于，依照如权利要求1-8任一所述的厚引线框架的制造方法制得，所述厚引线框架(40)包括芯片基岛(42)以及若干个引脚(41)。

10.一种半导体封装构造,其特征在于，包括：依照如权利要求1-8任一所述的一种厚引线框架的制造方法制得的厚引线框架(40)、安装在厚引线框架(40)上的芯片、以及密封芯片的模封胶体。