[发明专利]一种厚引线框架的制造方法

说明书

本申请涉及半导体领域，更具体地说，它涉及一种厚引线框架的制造方法。一种厚引线框架的制造方法，包括：提供金属卷带；贴附第一感光干膜、第二感光干膜；图案化形成第一干膜图案层与第二干膜图案层；第一干膜图案层的相邻第一引脚补偿扩大图案/第二干膜图案层的相邻第二引脚补偿扩大图案之间一体连接有第一间隙维持条/第二间隙维持条，第一间隙维持条/第二间隙维持条任一条宽度小于等于对应第一引脚补偿扩大图案/第二引脚补偿扩大图案的图像轮廓补偿距离；对金属卷带双面过度蚀刻形成多个厚引线框架一体连接的卷带；第一间隙维持条与第二间隙维持条的内表面没有贴附金属。本申请具有改善厚引线框架在制备过程中图形不准确的问题的效果。

技术领域

本申请涉及半导体领域，更具体地说，它涉及一种厚引线框架的制造方法。

背景技术

引线框架是半导体集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接的重要连接件，是和外部导线连接的桥梁，是电子信息产业中重要的基础材料。

随着科技的发展，对引线框架的要求越来越高，大功率引线框架在市场上的应用越来越广泛。此类大功率的引线框架在后端使用过程中电流进入流出，功率越大，电流就越大。当电流越大，在固定电阻的情况下，发热越大，局部越容易烧点。但是在产品PKG（PKG即产品的包装方式）定下来以后，引线框架在XY方向上的尺寸就无法改变，也就无法通过改变引线框架的尺寸来改善引线框架被烧坏的问题。为解决上述问题，通常采用增加引线框架的厚度的方式，以避免大功率的引线框架出现局部烧点。

引线框架可采用冲压、蚀刻两种方式制作成型。基于上述情况，若采用冲压方式加工厚引线框架，存在有周期长、模具费用高等问题。若采用蚀刻方式加工，由于引线框架过厚，所需的刻蚀时间长，容易引发侧蚀，导致引线框架图形不准确。因此，还有待改善。

发明内容

为了改善厚引线框架在制备过程中图形不准确的问题，本申请提供一种厚引线框架的制造方法。

第一方面，本申请提供一种厚引线框架的制造方法，采用如下的技术方案：

一种厚引线框架的制造方法，包括：

S1、提供厚度在0.5mm以上的金属卷带；

S2、在所述金属卷带上表面与下表面分别贴附第一感光干膜与第二感光干膜；

S3、图案化所述第一感光干膜与第二感光干膜以分别形成第一干膜图案层与第二干膜图案层，所述第一干膜图案层具有第一引脚补偿扩大图案，所述第二干膜图案层具有第二引脚补偿扩大图案，所述第一引脚补偿扩大图案与第二引脚补偿扩大图案相互对应；所述第一干膜图案层的相邻第一引脚补偿扩大图案之间一体连接有第一间隙维持条，所述第二干膜图案层的相邻第二引脚补偿扩大图案之间一体连接有第二间隙维持条，所述第一间隙维持条与第二间隙维持条的任一条宽度小于等于对应第一引脚补偿扩大图案或第二引脚补偿扩大图案的图像轮廓补偿距离；

S4、在所述第一干膜图案层与第二干膜图案层的刻蚀阻挡下，对所述金属卷带的上表面、下表面进行双面过度蚀刻，所述金属卷带形成的内侧蚀引脚缩于第一引脚补偿扩大图案与第二引脚补偿扩大图案，以形成多个厚引线框架一体连接的卷带；所述厚引线框架的引脚内溃缩侧蚀使得第一间隙维持条与第二间隙维持条的内表面不残留有贴附金属。

通过采用上述技术方案，采用双向蚀刻的方式同时对金属卷材的两面进行蚀刻，有利于缩短蚀刻的时间，缓解了由于金属卷材厚所引发的严重侧蚀现象。其次，设置了第一引脚补偿扩大图案、第二引脚补偿扩大图案，提前预留了供侧蚀发生的空间，以保证最终图形的准确性。

金属卷材的形式可以有效减少空间占有率。但是在实践中发现，在收放金属卷材时，已经贴在金属卷材两侧的第一感光干膜、第二感光干膜会因为收放卷而拉伸、卷缩，增大了相邻的第一引脚补偿扩大图案/第二引脚补偿扩大图案不经意粘连在一起的几率（尤其是一些间距很小的部分），从而影响后续刻蚀出来的产品的图形准确度。