[发明专利]光学临近修正方法有效
申请号: | 202310220405.5 | 申请日: | 2023-03-09 |
公开(公告)号: | CN115933306B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 王康;罗招龙;苏正龙 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 顾丹丽 |
地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种光学临近修正方法,通过从所有主图形中筛选出所有金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形,形成第一图形组;然后,从所有主图形中筛选出所有相邻两个主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组,形成第二图形组;接着,从第二图形组中筛选出与第一图形组有重叠的主图形组,形成第三图形组;最后,调整第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度,使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。本发明提供的方法能够同时兼顾光刻工艺窗口和OPC收敛度,并且可以避免电路连接问题,提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 光学 临近 修正 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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