[发明专利]光学临近修正方法

说明书

本发明提供了一种光学临近修正方法，通过从所有主图形中筛选出所有金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形，形成第一图形组；然后，从所有主图形中筛选出所有相邻两个主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组，形成第二图形组；接着，从第二图形组中筛选出与第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组；最后，调整第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。本发明提供的方法能够同时兼顾光刻工艺窗口和OPC收敛度，并且可以避免电路连接问题，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及及半导体制造技术领域，特别涉及一种光学临近修正方法。

背景技术

基于模型的光学临近效应修正（model-based OPC，MB-OPC)从90nm技术节点开始广泛使用。 然而，随着节点的一步步推进，版图布局也变得越来越复杂。在OPC修正过程中难免会遇到工艺窗口和OPC收敛度形成冲突的情况。目前业界的做法是牺牲OPC收敛度，以保证晶圆上的光刻胶不会出现桥接的现象。具体方法是，设定OPC修正后图形的线宽CD或者间距space的最小值为X，以避免出现在OPC修正后图形的线宽CD或间距space小于X而导致晶圆上光刻胶上的图形出现桥接的问题。然而，这种做法会出现一些缺陷，特别对于金属层，容易出现上下层套刻精度差的问题，同时金属层可能没有完全覆盖接触孔或者通孔，导致电路连接问题，影响产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光学临近修正方法，以在保证版图的工艺窗口的同时，改善版图的OPC收敛度，还能够避免电路连接问题，提高产品良率。

为了实现上述目的以及其他相关目的，本发明提供了一种光学临近修正方法，包括以下步骤：

确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图包括多个主图形，且每个所述主图形包括金属层图形和被所述金属层图形覆盖的孔结构图形；

从所有所述主图形中筛选出所有所述金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形，形成第一图形组；

从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组，形成第二图形组；

从所述第二图形组中筛选出与所述第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组；

调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。

可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组的步骤包括：

对所有所述主图形进行光学临近修正，获得光学临近修正后的图形；

从所述光学临近修正后的图形中筛选出所有相邻两个所述光学临近修正后的图形之间的线端间距位于所述第一预设范围内的光学临近修正后的图形组；

根据筛选出的所述光学临近修正后的图形组确定出对应的主图形组。

可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组的步骤包括：

确定所述主图形对应的符合相邻主图形的版图设计规则的第二版图规则值，且根据所述第二版图规则值获取第二预设范围，并筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距位于所述第二预设范围内的主图形组，以保证所述主图形组中的所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内。

可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述第二预设范围为所述第二版图规则值~所述第二版图规则值+N，且N的范围为1/4的所述第二版图规则值~1/3的所述第二版图规则值。