[发明专利]一种硅基读出电路表面平坦化处理方法及探测器在审
申请号: | 202310218036.6 | 申请日: | 2023-03-08 |
公开(公告)号: | CN116454160A | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 张轶;刘世光;喻松林;冯晓宇;于艳;李春领 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/02;H01L31/09;H01L31/101 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 袁鸿 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请公开了一种硅基读出电路表面平坦化处理方法及探测器,包括:在硅基读出电路表面涂覆光刻胶,以使得涂覆光刻胶后,所述硅基读出电路表面被完全覆盖;清洗所述硅基读出电路表面涂覆的光刻胶,以使得裸露出部分所述硅基读出电路表面;将裸露出的部分所述硅基读出电路表面去除,完成对所述硅基读出电路表面的平坦化处理。利用本申请实施例的方法能够提升读出电路表面的平坦度,提升表面加工出的铟凸点高度和高度均匀性,进而提高红外探测器的良品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 读出 电路 表面 平坦 处理 方法 探测器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的