[发明专利]一种硅基读出电路表面平坦化处理方法及探测器在审

专利信息
申请号: 202310218036.6 申请日: 2023-03-08
公开(公告)号: CN116454160A 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 张轶;刘世光;喻松林;冯晓宇;于艳;李春领 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/02;H01L31/09;H01L31/101
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 袁鸿
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本申请公开了一种硅基读出电路表面平坦化处理方法及探测器,包括:在硅基读出电路表面涂覆光刻胶,以使得涂覆光刻胶后,所述硅基读出电路表面被完全覆盖;清洗所述硅基读出电路表面涂覆的光刻胶,以使得裸露出部分所述硅基读出电路表面;将裸露出的部分所述硅基读出电路表面去除,完成对所述硅基读出电路表面的平坦化处理。利用本申请实施例的方法能够提升读出电路表面的平坦度,提升表面加工出的铟凸点高度和高度均匀性,进而提高红外探测器的良品率。
搜索关键词: 一种 读出 电路 表面 平坦 处理 方法 探测器
【主权项】:
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