[发明专利]多层量子阱深紫外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310213819.5 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116053375A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张韵;崔冰玥;杨杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊晓 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多层量子阱深紫外发光二极管及其制备方法，应用于二极管技术领域。该发光二极管，包括：衬底；外延结构层，设置于衬底上，外延结构层包括：氮化铝层，设置于衬底上；过渡层，设置于氮化铝层上；量子阱有源层，设置于过渡层上，量子阱有源层包括第一端和与第一端相对设置的第二端；钝化层，设置于量子阱有源层上；P型层，设置于过渡层与钝化层之间，并与量子阱有源层的第一端接触；N型层，设置于过渡层与钝化层之间，并与量子阱有源层的第二端接触；P型电极，设置于P型层上，并贯穿钝化层；N型电极，设置于N型层上，并贯穿钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 量子 深紫 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310213819.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种车辆换电2D视觉定位方法
- 下一篇：智能开关的控制方法、装置和智能开关
