[发明专利]一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT及制作方法在审
| 申请号： | 202310211034.4 | 申请日： | 2023-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN116247096A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王路宇;张鹏浩;徐敏;王强;潘茂林;谢欣灵;黄海;黄自强;徐赛生;王晨;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 陈成;周冬文 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：衬底为SiC，其中包含有P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区；凹栅增强型GaN HEMT器件包括在分隔层上依次形成的第一成核层、沟道层以及势垒层；势垒层上开设有第一凹槽，第一凹槽贯穿势垒层，第一凹槽内填充有栅介质层以及栅极金属以形成栅极；且栅极两侧的势垒层上分别形成有源极和漏极；其中：阳极与P型掺杂区电性连接，且阳极电性连接至源极；阴极与N型掺杂区电性连接，且阴极电性连接至漏极；其中：N型掺杂区覆盖漏极下方的区域，且延伸至栅极下方的区域；通过PN结可抑制器件的反向导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 向导 通电 增强 gan hemt 制作方法 | ||
【主权项】：
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