[发明专利]一种多光吸收层结构的宽光谱光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310201576.3 | 申请日： | 2023-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN116190472A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈占国;关宇锋;王帅;刘晓航;陈曦;赵纪红;高延军 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L31/0336 | 分类号： | H01L31/0336;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种多光吸收层结构的宽光谱光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。由硅衬底层1、氧化锌层2(厚度50～200nm)、具有叉指结构的掩埋式电极层3(叉指间距和叉指宽度均为3～20μm，对数为20～40对，厚度50～100nm，电极材料为金、铂或钛)和氧化镓覆盖层4(厚度50～150nm)组成，掩埋式电极层3的叉指结构掩埋于氧化镓覆盖层4中，掩埋式电极层3连接叉指结构的两侧电极未被氧化镓覆盖层4全部覆盖，裸露部分用于施加偏压。本发明利用不同禁带宽度的半导体材料作为光吸收层，在电场的作用下，叉指电极可以分离收集到不同光吸收层的光生电子‑空穴对而形成光电流，达到宽光谱探测的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光吸收 结构 光谱 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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